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J-GLOBAL ID：200903080221520458

有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Inventor：
鶴岡 誠久

About 鶴岡 誠久

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高橋 尚光

About 高橋 尚光


Applicant, Patent owner：
双葉電子工業株式会社

About 双葉電子工業株式会社


Agent (1)： 西村 教光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998241810
Publication number (International publication number)：2000068073
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：
【要約】【課題】リバースタイプの有機EL素子の製造において、正孔注入輸送層と接触する陽極界面部のイオン化ポテンシャルIp を必要な値に設定する。【解決手段】基板2の上に陰極3、絶縁層4、電子注入層5、電子輸送層6、発光層7、正孔注入輸送層8を形成する。Ar:O2 混合ガス雰囲気で正孔注入輸送層8の表面にITO 膜の陽極9をスパッタ法で形成する。界面部12の成膜を、Ar:O2=25sccm:10sccm の条件で行い、残りの部分13の成膜を、同じく25sccm:1sccmで行った。界面部12のIp は6.0eV 、抵抗は300 Ωとなった。部分13のIp は4.5eV、抵抗は100 Ωとなった。陽極全体としてはシート抵抗が100 Ω/□以下、Ip:5.5eVとなった。ITO の陽極9は、全体としての抵抗が小さく、かつ正孔注入輸送層8との界面のIp が正孔注入輸送層8に近い。良好なホール注入特性が得られ、従来に比べて非常に高い輝度が得られた。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも陰極と、有機化合物からなる発光層と、有機化合物からなる正孔注入輸送層と、透光性の陽極とが順に積層されてなり、前記発光層の発光を前記陽極を通して観察する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記陽極の前記正孔注入輸送層との界面部が、所要のホール注入特性が達成されるように、前記正孔注入輸送層と実質的に同等のイオン化ポテンシャルを有しており、前記陽極の前記界面部以外の部分のイオン化ポテンシャルが前記界面部のイオン化ポテンシャルよりも小さいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (3)：
H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (3)：
H05B 33/26 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
F-Term (9)：
3K007AB03 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007CC00 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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