蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西村教光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999003024
Publication number (International publication number)：2000204365
Application date： Jan. 08, 1999
Publication date： Jul. 25, 2000
Summary：

【要約】【目的】結晶性のよい蛍光体を合成できる蛍光体製造用容器を提供する。【構成】原料物質としてのGa2 03 にZnのドープ材であるZnSを混合し、焼成ボートに載せる。焼成ボート1は、両端が開口した円筒を軸線方向に沿って2つ割りにした形状である。焼成ボート1の曲率は管状炉2の曲率とほぼ同じである。焼成ボート1の両端は開口しており、アンモニアガスの流れを妨げない。管状炉2内を流されるアンモニアガスは焼成ボート1上の原料物質3に十分に接触する。焼成ボート1に原料物質3を載せ、管状炉2内に配置し、350ml/minのアンモニアを流しながら、1150°Cで2時間焼成してGaN蛍光体を得た。得られたGaN蛍光体を蛍光発光管の陽極導体に塗布して陽極電圧30Vで発光させて評価したところ、従来の箱型のボートで製造した蛍光体に比べて2倍以上の発光輝度が得られた。

Claim (excerpt)：

所定方向に沿って内部にガスが流される管体に加熱手段が設けられてなる管状炉と、蛍光体の原料物質を収納して前記管状炉の前記管体の内部に配置され、前記所定方向と交差する側に開口が設けられた蛍光体製造用容器と、を有する蛍光体の製造装置。

IPC (2)：

C09K 11/08 , C09K 11/62

FI (3)：

C09K 11/08 A , C09K 11/08 C , C09K 11/62

F-Term (7)：

4H001CF02 , 4H001XA31 , 4H001XA49 , 4H001YA12 , 4H001YA14 , 4H001YA30 , 4H001YA32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-003025 Applicant：双葉電子工業株式会社
蛍光体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-043032 Applicant：双葉電子工業株式会社
化合物半導体単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-244165 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

Cited by examiner (3)

蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-003025 Applicant：双葉電子工業株式会社
蛍光体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-043032 Applicant：双葉電子工業株式会社
化合物半導体単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-244165 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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