半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232832
Publication number (International publication number)：1995094821
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【構成】基板面方位が(100)方向から〔011〕方向へ傾いた傾角基板を採用し、オフ角度に応じてステップ間隔が定まることを利用して、ステップ間隔と超格子構造の膜厚が略等しくなるように超格子の膜厚を最適化し、ステップ位置における膜厚揺らぎの影響を最小にする。【効果】実効的なヘテロ障壁が大きくなるために電子が有効に活性層に閉じ込められて、発振に寄与するキャリアの割合が増加するため、低閾値化を図ることができるとともに、高温動作特性の改善を実現できる。

Claim (excerpt)：

第一伝導型半導体基板の上に形成された、禁制帯幅の小さい活性層を挟んだ前記活性層より禁制帯幅の大きい第一伝導型第一クラッド層と第二伝導型第二クラッド層のうち、少なくともp型クラッド層の前記活性層の近傍に、禁制帯幅の大きい層と小さい層からなる超格子構造を有する半導体レーザ素子において、前記第一伝導型半導体基板が(100)面より〔011〕方向に2度以上55度以下傾いており、望ましくは(100)面より〔011〕方向に5度以上25.2 度以下傾いており、更に最適範囲としては(100)面より〔011〕方向に12度±5度傾いており、基板傾角度に応じて前記超格子構造の膜厚が傾角基板のステップ間隔と略等しく設定してあることを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-094291 Applicant：三洋電機株式会社
特開平4-114486
特開平4-130687

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