半導体装置、電子機器、半導体装置の作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006017033
Publication number (International publication number)：2006237586
Application date： Jan. 26, 2006
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】節を有する形状の導電層を、均一な間隔をもって隣接して形成する。隣接する導電層において、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、導電層同士の線幅の最大個所(節の最大値)同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接して設けることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数の線幅を有する第1の配線と、複数の線幅を有する第2の配線とを有し、前記第1の配線及び前記第2の配線の側端部はうねる形状を有し、前記第1の配線及び前記第2の配線は、中心軸に対して線対称であり、前記第1の配線と前記第2の配線との間隔は一定であることを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 21/320 , H01L 21/288 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , B05D 1/26 , B05D 7/00

FI (8)：

H01L21/88 B , H01L21/288 Z , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L29/78 612D , B05D1/26 Z , B05D7/00 H , H01L29/78 616T

F-Term (173)：

4D075AC07 , 4D075BB61Y , 4D075CA22 , 4D075CA35 , 4D075CA47 , 4D075DA06 , 4D075DB01 , 4D075DB13 , 4D075DC21 , 4D075DC24 , 4D075EA10 , 4D075EB22 , 4D075EB32 , 4D075EB33 , 4D075EB39 , 4D075EB42 , 4D075EC10 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA06 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104FF08 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5F033GG00 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH38 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM19 , 5F033MM21 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ34 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ85 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG55 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK41 , 5F110HM04 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-052460 Applicant：セイコーエプソン株式会社
膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-323701 Applicant：セイコーエプソン株式会社
成膜装置、成膜方法、これにより成膜された基板及びこの基板を用いた液晶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-285937 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Cited by examiner (1)

膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-323701 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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