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J-GLOBAL ID：200903080435012565

フォトニッククリスタルファイバの製造方法

Inventor： 山本 哲也 ,  田中 正俊 ,  小柳 繁樹 ,  藤田 盛行 ,  中沢 正隆 ,  久保田 寛和 ,  川西 悟基
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001006394
Publication number (International publication number)：2002211941
Application date： Jan. 15, 2001
Publication date： Jul. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 線引き加工時における水酸基の形成が抑制され、従来に比べて低伝送ロスのPCファイバを得ることができるPCファイバの製造方法を提供する。【解決手段】 多数のキャピラリ1,1,...をキャピラリ孔が横断面において所定格子配列を形成するように束ねると共に、コアロッド2を中心軸位置に配置してプリフォーム4を作製し、そのプリフォーム4を線引き加工して細径化することによりフォトニッククリスタルファイバを製造する方法であって、多数のキャピラリ1,1,...の各々の両端を封止する。

Claim (excerpt)：

キャピラリ孔が横断面において所定格子配列を形成するように多数のキャピラリを束ねると共に、中心軸位置にコアロッドを配置して又はコア空間を形成してプリフォームを作製し、該プリフォームを線引き加工して細径化することによりフォトニッククリスタルファイバを製造する方法であって、上記多数のキャピラリの各々の両端を封止することを特徴とするフォトニッククリスタルファイバの製造方法。

IPC (4)：

C03B 37/012 ,  C03B 37/028 ,  G02B 6/00 356 ,  G02B 6/20

FI (4)：

C03B 37/012 B ,  C03B 37/028 ,  G02B 6/00 356 A ,  G02B 6/20 Z

F-Term (4)：

2H050AB04Z ,  2H050AC62 ,  4G021AA01 ,  4G021BA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 微細構造光ファイバ用母材及び微細構造光ファイバの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-034794   Applicant：住友電気工業株式会社
• 微細構造光ファイバ用母材及び微細構造光ファイバの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-034801   Applicant：住友電気工業株式会社