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J-GLOBAL ID：200903080451116249

コンタクト形成方法および半導体装置

Inventor：
廣瀬 裕

About 廣瀬 裕

, 
井上 薫

About 井上 薫

, 
池田 義人

About 池田 義人


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (2)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003170133
Publication number (International publication number)：2004111910
Application date： Jun. 16, 2003
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】III 族窒化物半導体の電極の低抵抗化を図る。【解決手段】基板1上のIII 族窒化物半導体層としてのAlGaN層3のオーミック・コンタクト形成領域11の表面に選択的にSi薄膜9とTi薄膜10とを積層し、この基板1を高温で熱処理する。それにより、AlGaN層3のオーミック・コンタクト形成領域11内で、Siが拡散されて濃度〜1020cm-3レベルとなり、Tiと反応してオーミック特性を得るために十分に高い電子濃度となる。コンタクト形成領域11内で、SiとTiとの反応によるTiSi2部分12、TiとAlGaNとの反応によるTiN部分13、および窒素空孔14、窒素を失ったGaとAlのIII 族金属部分が発生して、TiSi2を主体とする低抵抗の電極膜が形成される。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
III 族窒化物半導体層の表面にSiとTiとを含む膜を形成した後に熱処理を施すことを特徴とするコンタクト形成方法。
IPC (7)：
H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/323
FI (7)：
H01L21/28 301S ,  H01L21/28 301B ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/042 612 ,  H01S5/323 610 ,  H01L29/80 H
F-Term (35)：
4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD35 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104GG04 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073AA61 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30 ,  5F073EA29 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR15 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21 ,  5F102HC24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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