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J-GLOBAL ID：200903080549453014

イオン質量分離方法及び装置、並びにイオンドーピング装置

Inventor：
桑原 一

About 桑原 一


Applicant, Patent owner：
石川島播磨重工業株式会社

About 石川島播磨重工業株式会社


Agent (1)： 山田 恒光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000401014
Publication number (International publication number)：2002203805
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 大口径のイオンビームのイオン質量分離が行えるようにする。【解決手段】 入口部18と出口部19とを有するイオン偏向ケーシング17の外部に、入口部18及び出口部19を通るように導体20を所定の間隔で螺旋状に巻くことにより所要長さに形成した空芯励磁電流路21と、入口部18における前記導体20と重なる間隔位置に配置したイオン引出し電極26と、イオン引出し電極26に隣接したイオン発生装置16と、出口部19に配置したイオン加速電極27とを備える。
Claim (excerpt)：
入口部と出口部とを有するイオン偏向ケーシングの外部に、入口部を通るように導体を螺旋状に巻いて所要長さにした空芯励磁電流路を用い、空芯励磁電流路の長手方向に幅が広いイオンビームを、入口部の導体間を通して空芯励磁電流路の内部に導入し、空芯励磁電流路による磁場の作用によりイオンビームをイオンの質量に応じて湾曲させ、所望の質量のイオンビームを出口部から導体間を通して取出すことを特徴とするイオン質量分離方法。
IPC (3)：
H01L 21/265 603 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317
FI (3)：
H01L 21/265 603 B ,  C23C 14/48 Z ,  H01J 37/317 Z
F-Term (3)：
4K029CA10 ,  4K029DE03 ,  5C034CC02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • イオン注入装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-309287   Applicant：日新電機株式会社
  • イオン源
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-188382   Applicant：石川島播磨重工業株式会社
  • イオン注入装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-110278   Applicant：日新電機株式会社

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