半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001265362
Publication number (International publication number)：2003077844
Application date： Sep. 03, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜の開口部に形成された複数の単結晶の半導体層中での結晶欠陥の発生がないか又は極めて少ない半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】第1の成長室内で絶縁膜の開口部に第1導電型の第1の半導体層を形成し、第2の成長室内で絶縁膜の開口部に第2導電型の第2の半導体層を形成し、第1及び第2の成長室間の基板搬送を、基板表面に水素を供給しながら行う半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた絶縁膜の開口部内に、導電型の異なる複数の半導体層を形成する半導体装置の製造方法であって、第1の成長室内で、上記開口部内に第1導電型の第1の半導体層を形成し、第2の成長室内で、上記第1の半導体層上に、第1導電型と反対導電型である第2導電型の第2の半導体層を形成する工程を有し、上記第1及び第2の成長室間で基板搬送を行う際に、上記基板表面に水素を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/205 , C23C 16/54 , H01L 21/331 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/732 , H01L 29/737 , H01L 29/78

FI (6)：

H01L 21/205 , C23C 16/54 , H01L 29/72 S , H01L 29/72 H , H01L 29/78 301 B , H01L 27/08 321 C

F-Term (75)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030GA12 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030KA49 , 4K030LA15 , 5F003BA27 , 5F003BB04 , 5F003BB06 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BC04 , 5F003BF06 , 5F003BG10 , 5F003BM01 , 5F003BP31 , 5F003BP33 , 5F003BS04 , 5F003BS06 , 5F003BS08 , 5F045AA03 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC13 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045BB14 , 5F045DA59 , 5F045DB02 , 5F045EB06 , 5F045EB08 , 5F045EB15 , 5F045EN04 , 5F045HA04 , 5F048AC03 , 5F048BA02 , 5F048BA14 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048CA03 , 5F048CA07 , 5F048CA15 , 5F048DA23 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA16 , 5F140BB18 , 5F140BB19 , 5F140BC13 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開昭61-083700
特開昭58-025226
半導体装置の製造方法および半導体製造装置並びに半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-012325 Applicant：三菱電機株式会社