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J-GLOBAL ID:200903067873648220
バイポーラトランジスタおよびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997182417
Publication number (International publication number):1998079394
Application date: Jul. 08, 1997
Publication date: Mar. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 ベース抵抗が小さく、エミッタ・ベース間容量及びコレクタ・ベース間容量が小さい高速動作が可能な自己整合バイポーラトランジスタを得る。【解決手段】 単結晶Si-Geの真性ベース9と低濃度コレクタ層3の間に、単結晶Si-Geの低濃度コレクタ領域8を自己整合的に形成し、ベース引き出し電極6と真性ベースとをドーピングされた外部ベース10のみで接続する。【効果】 コレクタ・ベース界面にエネルギー障壁ができないために、エミッタから注入されたキャリアの走行時間が短縮される。真性ベースとベース引き出し電極がドーピングされた外部ベースによって接続されるので、ベース抵抗が低減する。しかも、エミッタ・ベース・コレクタを自己整合的に形成するため、エミッタ・ベース及びコレクタ・ベース間容量も低減する。従って、高速なバイポーラトランジスタを実現でき、これを用いた回路の高速動作が可能となる。
Claim (excerpt):
第1導電型単結晶シリコン層と、該第1導電型単結晶シリコン層表面上に設けられた開口部を有する第1の絶縁膜と前記第1導電型と反対導電型の第2導電型多結晶層と第2の絶縁膜とからなる多層膜と、前記開口部に設けられた第1導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層と、該第1導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層上に設けられた第2導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層と、該第2導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層と前記第2導電型多結晶層との双方に接して設けられた第2導電型多結晶シリコン・ゲルマニウム層と、を少なくとも有することを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (5):
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
, H01L 31/10
, H03F 3/08
FI (4):
H01L 29/72
, H03F 3/08
, H01L 29/165
, H01L 31/10 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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バイポーラトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-186845
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-086774
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-115609
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-121457
Applicant:三菱電機株式会社
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-000818
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-295900
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-007189
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-217351
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-296496
Applicant:日本電気株式会社
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光電子集積回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-115008
Applicant:住友電気工業株式会社
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