バイポーラトランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997182417
Publication number (International publication number)：1998079394
Application date： Jul. 08, 1997
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】ベース抵抗が小さく、エミッタ・ベース間容量及びコレクタ・ベース間容量が小さい高速動作が可能な自己整合バイポーラトランジスタを得る。【解決手段】単結晶Si-Geの真性ベース9と低濃度コレクタ層3の間に、単結晶Si-Geの低濃度コレクタ領域8を自己整合的に形成し、ベース引き出し電極6と真性ベースとをドーピングされた外部ベース10のみで接続する。【効果】コレクタ・ベース界面にエネルギー障壁ができないために、エミッタから注入されたキャリアの走行時間が短縮される。真性ベースとベース引き出し電極がドーピングされた外部ベースによって接続されるので、ベース抵抗が低減する。しかも、エミッタ・ベース・コレクタを自己整合的に形成するため、エミッタ・ベース及びコレクタ・ベース間容量も低減する。従って、高速なバイポーラトランジスタを実現でき、これを用いた回路の高速動作が可能となる。

Claim (excerpt)：

第1導電型単結晶シリコン層と、該第1導電型単結晶シリコン層表面上に設けられた開口部を有する第1の絶縁膜と前記第1導電型と反対導電型の第2導電型多結晶層と第2の絶縁膜とからなる多層膜と、前記開口部に設けられた第1導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層と、該第1導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層上に設けられた第2導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層と、該第2導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層と前記第2導電型多結晶層との双方に接して設けられた第2導電型多結晶シリコン・ゲルマニウム層と、を少なくとも有することを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (5)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/165 , H01L 31/10 , H03F 3/08

FI (4)：

H01L 29/72 , H03F 3/08 , H01L 29/165 , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

バイポーラトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-186845 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-086774 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-115609 Applicant：日本電気株式会社

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バイポーラトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-186845 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置
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