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J-GLOBAL ID：200903080574099063

レジストパターン形成方法

Inventor： 清水 義之 ,  遠藤 章宏 ,  野崎 祐司
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995040552
Publication number (International publication number)：1995295228
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 化学増幅系レジストの露光部で生じた触媒が大気雰囲気中の汚染物質により失活することを簡易に防止できる方法を提供する。【構成】 少なくとも露光後から熱処理を行なう前までの期間は、化学増幅系レジスト13の層上に、有機材料から成る保護膜であって該レジストの層13の露光部において生じた触媒を露光済み試料を保管する雰囲気中の前記触媒を失活させる因子から保護するための保護膜15を、設けておく。

Claim (excerpt)：

化学増幅系レジストの層に対し選択的な露光をし、該露光済みの試料を熱処理し、該熱処理済みの試料を現像して所望のレジストパターンを形成するに当たり、少なくとも露光後から熱処理を行なう前までの期間は、化学増幅系レジストの層上に、有機材料から成る保護膜であって該レジストの層の露光部において生じた触媒を露光済み試料を保管する雰囲気中の前記触媒を失活させる因子から保護するための保護膜を、設けておくことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 565 ,  H01L 21/30 575

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244714   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-204848
  
• オーバーコート材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-177575   Applicant：日本電信電話株式会社, 信越化学工業株式会社
• レジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-258247   Applicant：富士通株式会社