臨界寸法増大抑制のためにハードマスクを使用する方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000540566
Publication number (International publication number)：2002510142
Application date： Jan. 05, 1999
Publication date： Apr. 02, 2002
Summary：

【要約】半導体基板(56)上の構造物の臨界寸法増大を抑制する方法は、反応性金属または酸化された反応性金属を含むハードマスク(52)を備えた基板をチャンバー内に配置することと、該ウエハーをエッチングすることとを含む。この方法は、低スパッタ収率を有し且つ該プロセスのエッチング化学に対して低い反応性を有するハードマスクを使用することを含む。

Claim (excerpt)：

基板上に配置される構造物の臨界寸法増大を抑制する方法であって: エッチングすべき層を覆って堆積された反応性金属を含有してなるハードマスクを備えた基板を選択する工程と; リアクターの中で前記層を処理する工程とを具備した方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/30 563 , H01L 21/302 J

F-Term (15)：

5F004AA04 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004BB26 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB08 , 5F004EA03 , 5F004EA04 , 5F004EA05 , 5F004FA08 , 5F046HA07 , 5F046JA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置を製造する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-203645 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
酸化物層のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-344698 Applicant：サイプレス・セミコンダクタ・コーポレーション
特開昭57-143830

Show all

Return to Previous Page