半導体レーザ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小堀益
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993157740
Publication number (International publication number)：1994326406
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】電子あるいは正孔が活性層からクラッド層へオーバーフローすることを抑制し、しきい値電流密度が低く、高効率で温度特性の良好な半導体レーザ装置を提供すること。【構成】活性層6とこれを挟むクラッド層4,8を基本構成要素とする半導体レーザ装置において、活性層6とクラッド層4,8の間あるいは活性層6に近いクラッド層4,8の中に、逆格子空間のΓ点近傍の電子或いは正孔に対する反射率と、他の一つ以上の主要な対称点近傍の電子或いは正孔に対する反射率とがともに高い井戸層と障壁層を重ね合わせた多重量子障壁層7を設ける。

Claim (excerpt)：

活性層とこれを挟むクラッド層を基本構成要素とする半導体レーザ装置において、活性層とクラッド層の間あるいは活性層に近いクラッド層の中に、逆格子空間のΓ点近傍の電子或いは正孔に対する反射率と、他の一つ以上の主要な対称点近傍の電子或いは正孔に対する反射率とがともに高い井戸層と障壁層を重ね合わせた多重量子障壁層を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-033079
特開平4-033079
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-158841 Applicant：住友電気工業株式会社

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