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J-GLOBAL ID:200903080780345437
光導波路及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996018301
Publication number (International publication number):1997191155
Application date: Jan. 09, 1996
Publication date: Jul. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 光導波路に対して垂直方向に、かつ同時に光導波路と外部の光学系との光結合効率を向上させながら光導波路から光を取り出す。【解決手段】 半導体レーザ部の導波路33から35に閉じ込められた光は、活性層34を導波し、反射ミラーR2で一旦上に反射され、ミラー38で反射され活性層へ戻る。一方、反射ミラーR1で反射された光は、ブラッグ反射膜32で一部が反射され、共振器を形成する。ブラッグ反射膜32を透過した光は、拡散しながら基板30を通過し、基板裏面の放物面31で、反射ミラー39によって反射し、基板垂直方向へ平行化されて反射される。この反射光は基板を通過し、基板表面から出力される。
Claim (excerpt):
光導波路の途中に反射ミラーを有し、該反射ミラーにて導波光を該光導波路の導波方向に対して垂直の方向へ取り出し、その取り出し部に集光レンズあるいは集光ミラーを集積化して有することを特徴とする光導波路。
IPC (3):
H01S 3/18
, G02B 6/122
, H01L 33/00
FI (3):
H01S 3/18
, H01L 33/00 M
, G02B 6/12 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平1-189978
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オプトエレクトロニクデバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-056181
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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特開平1-283893
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光素子と光導波路との光結合系
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-044789
Applicant:日本電信電話株式会社
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半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-196173
Applicant:古河電気工業株式会社
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