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J-GLOBAL ID:200903080788039742

静電容量検出型ダイアフラム構造体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 草野 卓 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999355931
Publication number (International publication number):2001174481
Application date: Dec. 15, 1999
Publication date: Jun. 29, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ダイアフラムの加工を容易に行えるようにする。【解決手段】 方形状ダイアフラム21とその中央の肉厚とされた方形状台座部21aの方形の対応する頂点を結ぶ線によりダイアフラム21の薄肉部21bを4つの台形状領域に分けた時、各領域において台座部21aのなす辺と直交する方向における断面形状が波形とされる。その波形形状はシリコン基板の表裏に異方性エッチングによりV溝23をそれぞれ配列形成することによって形成される。
Claim (excerpt):
中央に肉厚とされた方形状台座部を有する方形状ダイアフラムと、そのダイアフラムの周囲を支持するフレームとがシリコン基板より一体形成され、上記台座部に質量体が取り付けられ、上記フレームの、上記質量体の位置する側と反対側の面にベースが取り付けられて、そのベースに上記ダイアフラムと対向する電極が形成されてなる静電容量検出型ダイアフラム構造体において、上記台座部とダイアフラムの方形の対応する頂点を結ぶ線により上記ダイアフラムの薄肉部を4つの台形状領域に分けた時、各領域において台座部のなす辺と直交する方向における断面形状が波形とされ、その波形形状は異方性エッチングにより上記シリコン基板の表裏にV溝をそれぞれ配列形成することによって形成されていることを特徴とする静電容量検出型ダイアフラム構造体。
IPC (5):
G01P 15/125 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/18 ,  H01L 29/84
FI (5):
G01P 15/125 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84 B ,  G01P 15/00 K
F-Term (10):
2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD07 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA25 ,  4M112DA02 ,  4M112EA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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