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J-GLOBAL ID：200903080818355784

半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法

Inventor： 滝澤 律夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995301449
Publication number (International publication number)：1997148553
Application date： Nov. 20, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 固体撮像用のエピタキシャル半導体基板の作成において、白傷欠陥を低減するために金属不純物の混入が少ないエピタキシャル層の形成を可能にする。【解決手段】 固体撮像用のエピタキシャル半導体基板3の作成において、SiH4 のソースガスを用い、1050°C未満以下、好ましくは1030°C以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層2を成長するようになす。

Claim (excerpt)：

固体撮像用のエピタキシャル半導体基板の作成において、SiH4 のソースガスを用い、1050°C未満以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を成長することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-096923
  
• 半導体基板、固体撮像装置及びこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-023145   Applicant：ソニー株式会社
• エピタキシャルウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-355507   Applicant：ソニー株式会社