半導体基板及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994070396
Publication number (International publication number)：1995283380
Application date： Apr. 08, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】結晶欠陥が少なく、膜厚分布が良く、不純物濃度が低く、絶縁層の膜厚、材料の設定が自由で、安価に製造できる半導体基板を得る。【構成】外方拡散により不純物を低濃度化した半導体層101aを絶縁体面上に有する半導体基板。表面側に高濃度不純物層を有する半導体基板と絶縁体面を有する基板とを貼り合わせ、前記半導体基板を除去し、残された高濃度不純物層の不純物濃度を外方拡散により低下させる半導体基板の製造方法。高濃度不純物層と絶縁体層とが接して設けられ、表面側に該絶縁体層を有する半導体基板と他の基板面とを貼り合わせ、前記半導体基板を除去し、残された高濃度不純物層の不純物濃度を外方拡散により低下させる半導体基板の製造方法。

Claim (excerpt)：

外方拡散により不純物を低濃度化した半導体層を絶縁体面上に有することを特徴とする半導体基板。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-181115
特開平3-181115
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-216573 Applicant：キヤノン株式会社

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