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J-GLOBAL ID：200903080873996993

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

Inventor： 武智 敏 ,  小太刀 明子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997112698
Publication number (International publication number)：1998301285
Application date： Apr. 30, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高解像性、高感度及び優れたドライエッチング耐性に加えて、優れた環境耐性を具えた化学増幅型レジスト材料を提供することを目的とする。【解決手段】 保護基により保護されたアルカリ可溶性基を有し、そしてそのアルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とに加えて、ニトリル化合物をさらに含むように構成する。

Claim (excerpt)：

保護基により保護されたアルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を有する酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含む化学増幅型レジスト材料において、ニトリル化合物をさらに含んでなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (6)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (7)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 568

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-054398   Applicant：株式会社東芝