Pat
J-GLOBAL ID：200903080919073240

半導体装置

Inventor：
藤岡 伸也

About 藤岡 伸也


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996274745
Publication number (International publication number)：1998125061
Application date： Oct. 17, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、複数の動作モードを有する半導体装置に於て、各モードに於て必要とされる電流供給量に応じて、内部降圧回路から適切な量の電流を供給することを目的とする。【解決手段】 3つ以上の複数の動作モードのうちの選択されたモードで動作する半導体装置は、半導体装置の内部回路に内部電圧を供給する複数の電圧供給回路と、選択されたモードを示す信号に基づいて、複数の電圧供給回路のうちの所定数を駆動させる制御回路を含み、制御回路は複数の動作モードの各々に対して所定数を異ならせる。
Claim (excerpt)：
3つ以上の複数の動作モードのうちの選択されたモードで動作する半導体装置であって、該半導体装置の内部回路に内部電圧を供給する複数の電圧供給回路と、該選択されたモードを示す信号に基づいて、該複数の電圧供給回路のうちの所定数を駆動させる制御回路を含み、該制御回路は該複数の動作モードの各々に対して該所定数を異ならせることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
G11C 11/407 ,  G06F 1/26 ,  G06F 1/32
FI (5)：
G11C 11/34 362 S ,  G06F 1/00 330 D ,  G06F 1/00 330 F ,  G06F 1/00 332 B ,  G11C 11/34 354 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • ダイナミックメモリ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-276109   Applicant：日本電気株式会社
  • 同期型半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-236527   Applicant：日本電気株式会社
  • DRAMの内部電圧発生装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-252903   Applicant：三洋電機株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM