所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置及びその方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999200558
Publication number (International publication number)：2000114166
Application date： Jul. 14, 1999
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体ウェハのような基板をフォトリソ工程により加工する場合に特に重要である、厳格な必要条件に適合し、一体形の装置として使用でき、更に、市場で入手可能である、新規な装置及び方法を提供すること。【解決手段】所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置は、基板が装填される、装填ステーション6aと、基板がフォトレジスト材料で被覆される、コーティングステーションと、フォトレジストコーティングがフォトレジストコーティングの上にマスクの潜像を形成し得るように所定のパターンを有するマスクを通じて露光される、露光ステーションと、潜像が現像される、現像ステーションと、基板が荷おろしされる、荷おろしステーション10aと、基板が荷おろしステーション10aに達する前に前記フォトリソグラフィ工程の所定のパラメータに対して基板を監視する、監視ステーションとを備えている。

Claim (excerpt)：

所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置であって、該基板が供給されるカセットから装填される、装填ステーションと、基板がフォトレジスト材料で被覆される、コーティングステーションと、該フォトレジストコーティングが所定のパターンを有するマスクを通じて光に露光され、フォトレジストコーティングの上にマスクの潜像を形成する、露光ステーションと、該潜像が現像される、現像ステーションと、基板が荷おろしされる、荷おろしステーションとを備える装置において、前記荷おろしステーションにて排出されるカセット内に荷おろしされる前に、前記フォトリソグラフィ工程の所定のパラメータに対して基板を監視する監視ステーションを更に備えることを特徴とする装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 7/26 501

FI (3)：

H01L 21/30 514 E , G03F 7/26 501 , H01L 21/30 516 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-002605
露光パターン形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-048909 Applicant：株式会社日立製作所
特開平1-110243

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