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J-GLOBAL ID：200903081183728763

研磨用組成物および研磨方法

Inventor：
伊奈 克芳

About 伊奈 克芳

, 
北村 忠浩

About 北村 忠浩


Applicant, Patent owner：
株式会社フジミインコーポレーテッド

About 株式会社フジミインコーポレーテッド


Agent (1)： 佐々木 宗治 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999266049
Publication number (International publication number)：2001089747
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 タンタル含有化合物を大きな研磨速度で研磨することができ、且つ研磨後銅表面が腐食され難い研磨用組成物を提供し、また、ディッシングが極力抑制可能な研磨方法を提供する。【解決手段】 研磨材、シュウ酸、エチレンジアミン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体および水を含み、且つ、酸化剤を含まないことを特徴とする研磨用組成物、および、研磨材、シュウ酸、エチレンジアミン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、水および過酸化水素を含んでなる研磨用組成物。また、半導体装置製造に係り、第1研磨ではバリア膜に達する直前で研磨を終え、銅膜を僅かに残し、次いで、第2および第3研磨で、残存した銅膜およびバリア膜を研磨する研磨方法において、第2研磨として、過酸化水素を含む研磨用組成物を用いて除去すべき銅膜を全て研磨して取り除き、第3研磨として、過酸化水素を含まない研磨用組成物を用いて除去すべきバリア膜を全て研磨し、取り除くことを特徴とする銅配線形成のための研磨方法。
Claim (excerpt)：
下記成分を含み、且つ、酸化剤を含まないことを特徴とする研磨用組成物。(a)研磨材、(b)シュウ酸、(c)エチレンジアミン誘導体、(d)ベンゾトリアゾール誘導体、(e)水
IPC (5)：
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622
FI (5)：
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622 D
F-Term (6)：
3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)

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