半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998317233
Publication number (International publication number)：2000150435
Application date： Nov. 09, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜中の溝への銅合金の埋込配線を形成する際に、研磨によって生じる銅合金層の窪み等の増大を抑制する。【解決手段】配線となる上層金属層13、バリアとなる下層金属層12を研磨する際、下層金属層の研磨に、下層金属層の研磨速度がエッチング速度を5倍以上大きく、かつ絶縁層の研磨速度を下層金属層の研磨速度よりも十分小さくする。【効果】絶縁層のエロージョンや金属層のディッシングを大幅に低減したダマシン配線を形成できる。

Claim (excerpt)：

基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記溝部から前記絶縁膜上にかけて、第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜上に、前記溝部から前記絶縁膜上にかけて、第2の導電膜を形成する工程と、前記第2の導電膜を研磨する工程と、前記第1の導電膜を、前記絶縁膜の研磨速度の5倍以上の研磨速度で研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/304 621 , H01L 21/3205 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6)：

H01L 21/304 622 X , H01L 21/304 622 A , H01L 21/304 621 D , H01L 21/88 K , H01L 21/88 R , H01L 27/10 621 Z

F-Term (34)：

5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH33 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033QQ50 , 5F033RR04 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX10 , 5F083AD21 , 5F083JA32 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083KA20 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR06 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

埋め込み配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-013777 Applicant：松下電器産業株式会社
研磨剤および研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-055290 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の研磨方法及び研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-287278 Applicant：株式会社リコー

研磨方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-155402 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

研磨液組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-096821 Applicant：旭化成工業株式会社

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-232231 Applicant：シャープ株式会社

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-047804 Applicant：日本電気株式会社

埋め込み金属配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-234030 Applicant：日本電気株式会社

配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-014902 Applicant：富士通株式会社, 三井金属鉱業株式会社

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-268160 Applicant：三菱電機株式会社

金属用研磨液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-371089 Applicant：日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所

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Cited by examiner (5)

埋め込み配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-013777 Applicant：松下電器産業株式会社
研磨剤および研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-055290 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の研磨方法及び研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-287278 Applicant：株式会社リコー

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