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J-GLOBAL ID:200903081201512137

軟磁性薄膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993235537
Publication number (International publication number):1995003489
Application date: Aug. 27, 1993
Publication date: Jan. 06, 1995
Summary:
【要約】【目的】 0.5Oe以下、特に0.3Oe以下、さらには0.2Oe以下の低保磁力を有し、かつ飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を提供する。【構成】 CoとNiとFeとを含有し、面心立方晶相からなり、X線回折における面心立方晶(200)面のピーク強度および面心立方晶(111)面のピーク強度をそれぞれI(200)およびI(111)としたとき、0.1≦I(200)/I(111)≦0.2である軟磁性薄膜。CoとNiとFeとを含有し、面心立方晶相を主とし、微量の体心立方晶相を含み、X線回折における体心立方晶(110)面のピーク強度をI(110)としたとき、I(200)/I(111)≧0.1かつI(110)/I(111)≦0.1である軟磁性薄膜。
Claim (excerpt):
CoとNiとFeとを含有し、面心立方晶相からなり、X線回折における面心立方晶(200)面のピーク強度および面心立方晶(111)面のピーク強度をそれぞれI(200)およびI(111)としたとき、0.1≦I(200)/I(111)≦0.2であることを特徴とする軟磁性薄膜。
IPC (5):
C25D 3/56 ,  C25D 5/50 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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