磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999187070
Publication number (International publication number)：2000106462
Application date： Jun. 30, 1999
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】大きな磁気抵抗比を得ることができ、かつ大きな抵抗をもつために相対的に大きな出力電圧が得られる強磁性トンネル接合のバイアス電圧および温度に対する磁気抵抗比の依存性を低減し、実用性を高める。【解決手段】強磁性層2/トンネル障壁層3/強磁性層4構造の強磁性トンネル接合1、あるいは強磁性層/トンネル障壁層/強磁性層/トンネル障壁層/強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。磁気素子はバイアス電圧の増加に対して正の傾きをもって増加する磁気抵抗比を有する。また、温度の上昇に伴う磁気抵抗比の減少が小さい。トンネル障壁層は、トンネルバリア高さをΦ[単位:eV]、トンネルバリア幅をS[単位:オングストローム]としたとき、S/(Φ)1/2 の値が10≦S/(Φ)1/2 を満足する。

Claim (excerpt)：

少なくとも 2層の強磁性層と、前記 2層の強磁性層間に介在された少なくとも 1層のトンネル障壁層との積層膜からなる強磁性トンネル接合を有し、前記 2層の強磁性層間にトンネル電流を流す磁気素子において、バイアス電圧の増加に対して正の傾きをもって増加する磁気抵抗比を有することを特徴とする磁気素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/26

FI (6)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/26 , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

磁気抵抗素子と磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-172062 Applicant：リードライト・エスエムアイ株式会社
強磁性トンネル接合
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-248410 Applicant：ティーディーケイ株式会社
磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-058777 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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Cited by examiner (5)

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