微小電極及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：谷川英次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003140544
Publication number (International publication number)：2004045394
Application date： May. 19, 2003
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】従来の微小電極よりもさらに微小な電極及びその製造方法を提供すること。【解決手段】突起を有する基材と、該突起を被覆する金属層と、該金属層を被覆する絶縁性電着塗料層とを具備し、前記突起を被覆する金属層の先端部が、前記電着塗料層から露出して電極を形成して成る電極を提供した。この電極は、突起を有する基材に、金属を蒸着して前記突起を被覆する金属層を形成する工程と、該金属層を一方の電極として電着を行うことにより、該金属層上に絶縁性電着塗料層を形成する工程と、形成された電着塗料層を加熱して前記突起を被覆する金属層の先端部を、前記電着塗料層から露出させる工程とを含む方法により製造できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

突起を有する基材と、該突起を被覆する金属層と、該金属層を被覆する絶縁性電着塗料層とを具備し、前記突起を被覆する金属層の先端部が、前記電着塗料層から露出して電極を形成して成る電極。

IPC (4)：

G01N27/30 , C25D13/00 , C25D13/12 , C25D13/20

FI (4)：

G01N27/30 F , C25D13/00 307D , C25D13/12 A , C25D13/20 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-197458 Applicant：ミクロナスインテルメタルゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
LAPS型pHセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-318773 Applicant：株式会社堀場製作所
自動車車体の被覆法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-024499 Applicant：関西ペイント株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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