薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998371423
Publication number (International publication number)：2000196094
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 TFT基板に関し、位置合わせ誤差が生じても、画素欠陥の発生を防止することのできるTFT基板を提供する。【解決手段】透明絶縁基板と、その上に形成された半導体薄膜と、半導体薄膜内にチャネルを画定する絶縁ゲート電極と、ゲート電極の両側で、半導体薄膜内に形成された高不純物濃度のソース/ドレイン領域と、チャネルとソース/ドレイン領域との間の半導体薄膜内に形成された一対の低不純物濃度領域と、ゲート電極を覆って透明絶縁基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成された開口を介して一対のソース/ドレイン領域の一方と電気的に接続された一方のソース/ドレイン電極と、層間絶縁膜上に配置され、一対の低不純物濃度領域の少なくとも一方を覆い、ソース/ドレイン電極と同一の層で形成され、ソース/ドレイン電極から分離された遮光層とを有する。

Claim (excerpt)：

透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板の所定領域上に形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、その下の前記半導体薄膜内にチャネルを画定するゲート電極と、前記ゲート電極の両側で、前記半導体薄膜内に形成された高不純物濃度の一対のソース/ドレイン領域と、前記チャネルと前記一対のソース/ドレイン領域との間の前記半導体薄膜内に形成された一対の低不純物濃度領域と、前記ゲート電極を覆って前記透明絶縁基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成された開口を介して前記一対のソース/ドレイン領域の一方と電気的に接続された一方のソース/ドレイン電極と、前記層間絶縁膜上に配置され、前記一対の低不純物濃度領域の少なくとも一方を覆い、前記ソース/ドレイン電極と同一の層で形成され、前記ソース/ドレイン電極から分離された遮光層とを有する薄膜トランジスタ基板。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , G09F 9/35 302

FI (5)：

H01L 29/78 616 A , G02F 1/136 500 , G09F 9/35 302 , H01L 29/78 619 B , H01L 29/78 627 C

F-Term (71)：

2H092JA24 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB51 , 2H092KA04 , 2H092KA10 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092NA03 , 2H092NA07 , 2H092NA13 , 2H092NA26 , 2H092PA07 , 2H092PA08 , 2H092PA13 , 5C094AA03 , 5C094AA05 , 5C094AA10 , 5C094AA16 , 5C094AA25 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094ED15 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F110AA02 , 5F110AA06 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE27 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110HJ13 , 5F110HJ22 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN41 , 5F110NN42 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110QQ08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-352962 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-032612 Applicant：シャープ株式会社
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-328655 Applicant：株式会社東芝

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