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J-GLOBAL ID：200903081485747821

ナノクリスタライトの調製

Inventor： バウェンディー, マウンギー ジー. ,  スコット, ネイサン イー.
Applicant, Patent owner： マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー
Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002548750
Publication number (International publication number)：2004515441
Application date： Dec. 06, 2001
Publication date： May. 27, 2004
Summary：

本発明は、ナノクリスタライトを製造する方法を特徴とする。このナノクリスタライトは、150Å未満の直径を有する。このナノクリスタライトは、狭いサイズ分布を有するナノクリスタライトのメンバーであり得る。このナノクリスタライトは、球形、棒形、円盤形または他の形状であり得る。このナノクリスタライトは、半導体材料のコアを含み得る。コアは、このコアの表面上にオーバーコーティングを有し得る。このオーバーコーティングは、このコアの組成とは異なる組成を有する半導体材料であり得る。

Claim (excerpt)：

ナノクリスタライトを製造する方法であって、該方法は、以下: 金属MまたはM含有塩、および還元剤を接触させて、M含有前駆体を形成する工程であって、ここで、Mは、Cd、Zn、Mg、Hg、Al、Ga、InまたはTlである、工程; 該M含有前駆体を、Xドナーと接触させて、混合物を形成する工程であって、ここで、Xは、O、S、Se、Te、N、P、AsまたはSbである、工程;および アミンの存在下で該混合物を加熱して、ナノクリスタライトを形成する、工程、 を包含する、方法。

IPC (1)：

C01B19/04

FI (3)：

C01B19/04 A ,  C01B19/04 C ,  C01B19/04 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体超微粒子の製造方法および組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-181157   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 高発光の色-選択材料
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-521557   Applicant：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
• 特開昭58-145606