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J-GLOBAL ID：200903081551132817

半導体装置とその製造方法

Inventor： 江原 玄 ,  藤井 裕二 ,  佐藤 昭彦 ,  伊早坂 尚
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001277940
Publication number (International publication number)：2003086787
Application date： Sep. 13, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 裏面電極を有する半導体装置において裏面電極の剥がれを防止できる技術を提供する。【解決手段】 半導体ウエハの一主面にダイシングエリアで区画された複数の半導体チップ形成領域に回路素子を形成する第1工程と、前記半導体ウエハの回路素子形成面(表面)とその反対側の面(裏面)を研削する第2工程と、該第2工程の後さらに平坦化する第3工程と、該第3工程の後裏面電極を形成する第4工程と、その後ダイシングして個々の半導体チップに分離し、前記半導体チップの外部電極とリードとを電気的に接続し、前記半導体チップとリードと前記電気的接続部とを樹脂封止する第5工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記第3工程後に、当該半導体ウエハの裏面を凹凸の粗面に加工し、該粗面加工された半導体ウエハの裏面に前記第4工程の裏面電極を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの一主面にダイシングエリアで区画された複数の半導体チップ形成領域に回路素子を形成する第1工程と、前記半導体ウエハの回路素子形成面(表面)とその反対側の面(裏面)を研削する第2工程と、該第2工程の後さらに平坦化する第3工程と、該第3工程の後裏面電極を形成する第4工程と、その後ダイシングして個々の半導体チップに分離し、前記半導体チップの外部電極とリードとを電気的に接続し、前記半導体チップとリードと前記電気的接続部とを樹脂封止する第5工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記第3工程後に、当該半導体ウエハの裏面を凹凸の粗面に加工し、該粗面加工された半導体ウエハの裏面に前記第4工程の裏面電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/41 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 652

FI (6)：

H01L 21/28 A ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/44 B ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 21/302 A

F-Term (26)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104DD34 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104FF02 ,  4M104FF31 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004EA10 ,  5F004EA31 ,  5F004EA34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-059360   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-057704   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-019431   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社