半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337709
Publication number (International publication number)：1999163137
Application date： Nov. 21, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】酸素プラズマにより変質する絶縁膜を一部にもった構造の加工後のフォトレジスト除去を絶縁膜の劣化なく行い、ビア抵抗の不良を無くし、信頼性を向上する半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】フォトレジストを除去するために少なくとも化学的機械研磨を一部に用い、またはさらに残ったレジストを露光し現像液にさらす工程を有する。

Claim (excerpt)：

酸素プラズマにより劣化する絶縁膜を一部にもつ層間膜の接続孔または溝加工用のフォトレジストを除去する工程において、少なくとも化学機械的研磨を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 321

FI (4)：

H01L 21/90 A , H01L 21/304 321 M , H01L 21/30 572 Z , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-118658 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開平4-120719
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-322936 Applicant：株式会社東芝

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