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J-GLOBAL ID:200903081685993029

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 市之瀬 宮夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994139524
Publication number (International publication number):1995326640
Application date: May. 30, 1994
Publication date: Dec. 12, 1995
Summary:
【要約】【目的】 外部回路との接続における全体的な設計の自由度が高く、しかもパッケージにしたときの厚さを薄くする事が可能な半導体装置を提供する。【構成】 半導体集積回路素子5と、該半導体集積回路素子5と外部回路との接続を行うための回路基板とを有する半導体装置であって、前記回路基板は、絶縁層1の表面にリードパターン2が形成され、裏面にグランドパターン3および電源パターン4が形成され、これらの両面のパターンは絶縁層1に形成されたスルーホール11により導通されており、前記半導体集積回路素子5は、絶縁層1の一部を除去して形成されたデバイスホール内に搭載される。
Claim (excerpt):
半導体集積回路素子と、該半導体集積回路素子と外部回路との接続を行うための回路基板とを有する半導体装置において、前記回路基板は、絶縁層の一方の面にリードパターンが形成され、他方の面にグランドパターンおよび電源パターンが形成されてなり、これらの両面のパターンは絶縁層に形成されたスルーホールにより導通されていることを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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