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J-GLOBAL ID:200903081729290160

浸炭用雰囲気ガス発生装置及び方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 木戸 一彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002165133
Publication number (International publication number):2004010952
Application date: Jun. 06, 2002
Publication date: Jan. 15, 2004
Summary:
【課題】変成炉内での温度上昇や温度低下及び煤の発生を抑制し、浸炭用雰囲気ガスとして好適な一酸化炭素を高濃度に含む変成ガスを安定して発生させることができる浸炭用雰囲気ガス発生装置及び方法を提供する。【解決手段】炭化水素と、二酸化炭素、酸素等の源ガスとを混合した原料混合ガスを触媒層を有する変成炉14に導入し、触媒反応によって一酸化炭素と水素とを含む浸炭用雰囲気ガスを発生するにあたり、前記変成炉の後段に、該変成炉で生成した変成ガスを冷却する冷却器15と、該冷却器で冷却された変成ガス中の水分及び二酸化炭素を吸着分離する吸着層を有する吸着器16と設け、前記変成炉に、炭化水素の混合割合を低くした状態の原料混合ガスを導入して触媒反応させた後、該変成炉から導出した変成ガスを冷却器で冷却し、次いで、吸着層で変成ガス中の水分及び二酸化炭素を吸着分離する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
炭化水素と、二酸化炭素、酸素等の源ガスとを混合した原料混合ガスを触媒層を有する変成炉に導入し、触媒反応によって一酸化炭素と水素とを含む浸炭用雰囲気ガスを発生する装置において、前記変成炉の後段に、該変成炉で生成した変成ガスを冷却する冷却器と、該冷却器で冷却された変成ガス中の水分及び二酸化炭素を吸着分離する吸着層とを設けたことを特徴とする浸炭用雰囲気ガス発生装置。
IPC (4):
C23C8/20 ,  C01B3/36 ,  C01B3/56 ,  C21D1/76
FI (4):
C23C8/20 ,  C01B3/36 ,  C01B3/56 Z ,  C21D1/76 J
F-Term (16):
4G140EA03 ,  4G140EA05 ,  4G140EA07 ,  4G140EB16 ,  4G140EB37 ,  4G140EB39 ,  4G140FA02 ,  4G140FB02 ,  4G140FB04 ,  4G140FC02 ,  4G140FC08 ,  4G140FD01 ,  4G140FE03 ,  4K028AA01 ,  4K028AB01 ,  4K028AC08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (6)
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