半導体レーザ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994151182
Publication number (International publication number)：1996018165
Application date： Jul. 01, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体レーザ装置を薄型化、軽量化して、半導体レーザ装置を光ピックアップに適用した場合等に、アクセス時間の短縮、装置の小型化を達成できるようにする。【構成】保護キャップ6の側壁面の一部を取り除いてブリッジ状に構成することで、半導体レーザ装置の厚みを薄くする。その際、半導体レーザ素子31等の搭載されている半導体素子の表面には、Al2O3 、SiO2、SiN、MgF2、Si等からなる保護層を形成して外環境から保護する。また、リード端子として、フレキシブル基板37を用いることにより、この部分でも薄型化,小型化をはかる。

Claim (excerpt)：

ステム上に、少なくとも、半導体レーザ素子、受光素子等の半導体素子を搭載し、これらの半導体素子の上方に保護キャップを配置した半導体レザ装置において、前記保護キャップの側壁面の一部を取り除いて該保護キャップをブリッジ状に構成するとともに、前記半導体レーザ素子等の半導体素子を、保護層でコーティングしてなることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4)：

H01S 3/18 , H01L 23/02 , H01L 23/29 , H01L 23/31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

オプトエレクトロニクスデバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-156944 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
特開昭58-125886
特開昭57-030393

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Cited by examiner (6)

オプトエレクトロニクスデバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-156944 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
特開昭58-125886
特開昭57-030393

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