半導体製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996100238
Publication number (International publication number)：1997289187
Application date： Apr. 22, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体基板を処理するための反応室の内部の清浄度を向上する半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置の反応室1には、洗浄液12を反応室1内へ導入するための洗浄液吹き出し口11と、排出するための洗浄液排出口13とを備える。洗浄液12として、処理される膜質に応じて純水をはじめ揮発性液体、酸性液体のいずれかを用いることにより、反応室内面に付着した異物等が物理的、化学的に効率よく除去され、その結果、半導体装置の歩留りを向上することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板を処理するための反応室を備えた半導体製造装置であって、前記反応室へ洗浄液を導入するための洗浄液供給手段と、前記反応室へ供給された前記洗浄液を排出するための洗浄液排出手段と、を備えた、半導体製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/304 341 , B08B 3/08 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (5)：

H01L 21/304 341 Z , B08B 3/08 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ガス処理装置及びその洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220680 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 富士通株式会社
特開平3-245883
特開平4-304623

Show all

Return to Previous Page