Pat
J-GLOBAL ID：200903081830534100
スピンフィルタ効果素子及びそれを用いた磁気デバイス
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
平山 一幸
, 海津 保三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002190610
Publication number (International publication number)：2004039672
Application date： Jun. 28, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：
【課題】高抵抗の強磁性体をトンネル障壁に用い、室温かつ低外部磁界で、非常に大きなTMRを有するスピンフィルタ効果素子を提供する。【解決手段】非磁性層からなる第1の電極11と、第2の電極13と、電極の間に挿入されるマグネタイトを除く高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜12とからなり、高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜12は、電子に対するトンネル障壁として作用し、第2の電極13が少なくとも強磁性層から構成される。室温において、低磁界で非常に高い磁気抵抗変化率が得られる。磁気デバイスに使用すれば、各種高感度の磁界センサ,高感度磁気ヘッド,信号電圧の大きいMRAMなどを提供できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
非磁性層からなる第1の電極と、強磁性層からなる第2の電極と、該電極の間に挿入されるマグネタイトを除く高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜と、からなり、
上記高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜が、電子に対するトンネル障壁として作用することを特徴とする、スピンフィルタ効果素子。
IPC (7)：
H01L43/08
, G01R33/09
, G11B5/39
, H01F10/20
, H01F10/32
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, H01F10/20
, H01F10/32
, H01L43/10
, G01R33/06 R
, H01L27/10 447
2G017AA10
, 2G017AD55
, 5D034BA03
, 5E049AB04
, 5E049AC05
, 5F083FZ10
