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J-GLOBAL ID：200903078125128569

磁性材料、この磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子、およびこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイス

Inventor： 黒岩 丈晴 ,  長永 隆志 ,  高田 裕 ,  猪俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  猪俣 浩一郎
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002028508
Publication number (International publication number)：2003229614
Application date： Feb. 05, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 新しいハーフメタルを用いた磁性材料を提供し、これを用いて磁気抵抗効果素子を製作することによって、高いトンネル磁気抵抗効果が得られる磁気抵抗効果素子を提供し、さらにはこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイスを提供する。【解決手段】 強磁性体からなる固定層3と、その固定層の上に形成された絶縁層4と、その絶縁層の上に形成された強磁性体からなるフリー層5とを備え、これら固定層3とフリー層5のいずれかまたは両方が、M<SB>x</SB>Fe<SB>3-x</SB>O<SB>4</SB>で表わされるスピネル構造を有する金属酸化物からなり、MはZnまたはMnのいずれかであり、かつxは0<x<0.5を満たしている。

Claim (excerpt)：

金属酸化物を含む磁性材料であって、前記金属酸化物は、一般式M<SB>x</SB>Fe<SB>3-x</SB>O<SB>4</SB>で表わされるスピネル構造を有し、MはZnまたはMnのいずれかであり、かつxは0<x<0.5を満たす、磁性材料。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/20 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (7)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/20 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

F-Term (9)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA02 ,  5E049AB04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• トンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-350925   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 磁気抵抗素子と磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-172062   Applicant：リードライト・エスエムアイ株式会社
• スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-361955   Applicant：アルプス電気株式会社
• 固定磁気ディスクおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-333792   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平1-122929
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• "Giant Room-Temperature Magnetoresistance in Polycrystalline Zn0.41Fe2.59O4 with α-Fe2O3 Grain Boun
• 磁性体ハンドブック, 19750630, 初版, P.615