多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996254399
Publication number (International publication number)：1998104659
Application date： Sep. 26, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】ポリシリコンTFTの製造方法において、ゲート電極の断面形状に起因するカバレージ不良を低減すると同時に、ゲート電極の端面の下層側に当るチャネル領域の一部に活性化不良領域が発生することを防止する。【解決手段】絶縁性基板上10に形成された多結晶シリコン薄膜12aに、端面がテーパー状に加工されたゲート電極18をマスクとして用いて不純物を注入して、多結晶シリコン薄膜12aの一部にソース・ドレイン領域13、14を形成する。次に、エキシマレーザビーム39を、ゲート電極18の端面の側方から絶縁性基板10の表面に対して斜めに照射する。これによって、ソース・ドレイン領域13、14を活性化すると同時に、ゲート電極18の端面の下層側にもレーザビーム39を入射させて、チャネル領域の一部を活性化する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成された多結晶シリコン薄膜にゲート電極をマスクとして用いて不純物を注入して、この多結晶シリコン薄膜の一部にソース・ドレイン領域を形成した後、当該ソース・ドレイン領域にレーザビームを照射して、当該ソース・ドレイン領域を活性化する多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法において、前記レーザビームを前記ゲート電極の端面の側方から前記絶縁性基板の表面に対して斜めに照射することによって、前記ゲート電極の端面の下層側に前記レーザビームを入射させること、を特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 A , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-348473 Applicant：株式会社東芝
特開平3-034433
特開平3-283626

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Cited by examiner (6)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-348473 Applicant：株式会社東芝
特開平3-034433
特開平3-283626

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