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J-GLOBAL ID：200903081905642710

半導体にp、p+およびn、n+領域を形成するためのドーパント・ペースト

Inventor： キューベルベク、アーミーン ,  ツィエリンスキー、クラウディア ,  ハイデル、リリア ,  シュトッカム、ヴェルナー
Applicant, Patent owner： メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000604469
Publication number (International publication number)：2002539615
Application date： Feb. 29, 2000
Publication date： Nov. 19, 2002
Summary：

【要約】本発明は、単結晶および多結晶Siウェーハにp、p+およびn、n+ゾーンを形成するための、ホウ素、リンまたはホウ素-アルミニウムに基づく新しいドーピング・ペーストに関する。本発明はさらに、対応するペーストの、半導体製造、パワー・エレクトロニクスまたは光起電力応用におけるマスキング・ペーストとしての使用に関する。

Claim (excerpt)：

スクリーン、ローラ、パッド、ステンシル印刷、または半導体技術において通常のその他の印刷技法によりSiウェーハを選択的および広範囲に印刷して、Siウェーハにp、p+、p++、n、n+、n++領域を形成するためのドーパント・ペーストであって、 a)ドーパント作用を有する1種または数種の成分 b)SiO2マトリックス c)溶剤 d)任意選択で酸および水 さらに、任意選択で、 e)増粘剤、湿潤剤などの添加剤 を含み、全体組成物が、金属イオンの形態の不純物を500ppb未満、好ましくは200ppb未満の濃度で含む、ドーパント・ペースト。

IPC (2)：

H01L 21/225 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 21/225 R ,  H01L 31/04 A

F-Term (5)：

5F051AA03 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体用塗布拡散剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-091008   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-085821
  
• 特開平3-119722
  
• 半導体用塗布拡散剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-091009   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-011624
  
• 特開平1-199678