光半導体素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩佐義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993187803
Publication number (International publication number)：1995045906
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】高い光出力の半導体レーザを1回の結晶成長で製造することを可能とする構造及びその製造方法を提供する。【構成】表面が(100)面の半導体の基板10上に、[011]方向に対し5度以上の角度をなす方向に、互いに平行な2本のストライプ状のマスク11を、間隔を空けて形成する。この間隔部に、MOVPEの結晶成長により、活性層13を含む半導体のメサストライプ14を形成し、引き続き一連の結晶成長により、メサストライプを覆って、平坦な上面部を有するクラッド層15及びキャップ層16を形成する。これにより活性層を含むメサストライプが、左右から絶縁膜17に挟まれ、かつ、メサストライプ及びメサストライプ脇の絶縁膜が、上下から半導体層及び基板10で挟まれ、活性層が半導体層で埋め込めれる構造が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の活性層を含む第1半導体層のメサストライプが、両側から絶縁体に挟まれ、かつ、前記メサストライプ及び前記メサストライプ脇の前記絶縁膜の上部に、前記メサストライプを埋め込む第2の半導体層が形成された構造を、少なくとも有することを特徴とする光半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

光半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-216027 Applicant：日本電気株式会社
特開昭62-117384
特開平3-227086

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