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J-GLOBAL ID:200903081970453631

シリコン構造体、その製造方法及びその製造装置、並びにシリコン構造体を用いた太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996221017
Publication number (International publication number):1997118511
Application date: Aug. 22, 1996
Publication date: May. 06, 1997
Summary:
【要約】【課題】 太陽電池に有用な太陽光線の反射の少ないシリコン構造体を提供する。【解決手段】 石英基板42の全面に厚さ約1μmのMoを堆積し、下部電極41を形成する。下部電極41の全面に、BCl3 を添加したSi2 Cl6 を用いて、シリコンを主成分とする膜47を介して、不規則な方向を向いた、シリコンを主成分とする複数の円柱状シリコン48の集合からなる厚さは30〜40μmのp型シリコン構造体43を形成する。p型シリコン構造体43の表面に、POCl3 を用いた熱拡散法によってPを拡散させて、円柱状シリコン48の外周部分にn型領域44を形成する。p型シリコン構造体43の全面に、厚さ30〜40μmのインジウム-スズ酸化物からなる透明電極45を形成し、透明電極45の上に厚さ約1μmのAlからなる上部電極46を形成する。
Claim (excerpt):
不規則な方向を向いた、シリコンを主成分とする複数の円柱状シリコンの集合からなるシリコン構造体。
IPC (7):
C01B 33/02 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04
FI (7):
C01B 33/02 E ,  C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 504 Z ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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