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J-GLOBAL ID:200903082018926786
紫外線照射装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
絹谷 信雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996343429
Publication number (International publication number):1998190058
Application date: Dec. 24, 1996
Publication date: Jul. 21, 1998
Summary:
【要約】【課題】 局所に限定した照射が可能で、かつ小型化が容易で長期信頼性のある紫外線照射装置を提供する。【解決手段】 Ga,InまたはAlを少なくとも含んだ III族元素の窒化物半導体を用いて一方向に紫外線を発光する固体発光素子1を形成し、この発光素子1を対象物に臨ませて配置することにより、必要な部位のみに紫外線を照射し、無用な部位には照射しないような局所に限定した照射が可能となる。
Claim (excerpt):
Ga,InまたはAlを少なくとも含んだ III族元素の窒化物半導体を用いて一方向に紫外線を発光する固体発光素子を形成し、この発光素子を対象物に臨ませて配置したことを特徴とする紫外線照射装置。
IPC (3):
H01L 33/00
, A61N 5/06
, F21M 1/00
FI (3):
H01L 33/00 C
, A61N 5/06 B
, F21M 1/00 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平1-136668
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特開昭61-234878
-
発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-165615
Applicant:浜松ホトニクス株式会社
-
特開平3-152979
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発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-151662
Applicant:豊田合成株式会社
-
光半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-181063
Applicant:日亜化学工業株式会社
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