電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法および電子デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上柳雅誉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001362742
Publication number (International publication number)：2003163176
Application date： Nov. 28, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】立方晶(100)配向または擬立方晶(100)配向でエピタキシャル成長により形成され、ぺロブスカイト構造の金属酸化物を含む導電性酸化物層を有する電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を製造する電子デバイス用基板の製造方法、および、かかる電子デバイス用基板を備える電子デバイスを提供すること。【解決手段】図1に示す電子デバイス用基板100は、Si基板11と、Si基板11上にエピタキシャル成長により形成され、NaCl構造の金属酸化物を含むバッファ層12と、バッファ層12上に立方晶(100)配向または擬立方晶(100)配向でエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造の金属酸化物を含む導電性酸化物層13とを有している。Si基板11は、自然酸化膜を除去しない(100)基板または(110)基板であるのが好ましい。また、バッファ層12は、平均厚さが10nm以下であるのが好ましい。

Claim (excerpt)：

Si基板と、前記Si基板上にエピタキシャル成長により形成され、NaCl構造の金属酸化物を含むバッファ層と、前記バッファ層上に立方晶(100)配向または擬立方晶(100)配向でエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造の金属酸化物を含む導電性酸化物層とを有することを特徴とする電子デバイス用基板。

IPC (9)：

H01L 21/28 301 , C01G 55/00 , C30B 29/16 , C30B 29/24 , H01L 27/105 , H01L 41/08 , H01L 41/09 , H01L 41/18 , H01L 41/22

FI (9)：

H01L 21/28 301 Z , C01G 55/00 , C30B 29/16 , C30B 29/24 , H01L 27/10 444 C , H01L 41/08 D , H01L 41/18 101 Z , H01L 41/22 Z , H01L 41/08 C

F-Term (35)：

4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD06 , 4G048AD08 , 4G048AE05 , 4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077BC11 , 4G077DA03 , 4G077EF03 , 4G077HA06 , 4G077SA04 , 4M104AA01 , 4M104BB36 , 4M104DD22 , 4M104DD23 , 4M104DD37 , 4M104DD41 , 4M104DD42 , 4M104FF13 , 4M104GG19 , 4M104HH20 , 5F083FR00 , 5F083GA27 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA45 , 5F083PR22 , 5F083PR25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

表面弾性波素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-002565 Applicant：セイコーエプソン株式会社
酸化物電極薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-304036 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Microstructural Investigation of Pulsed-Laser-Deposited SrRuO3 Films on Si with SrO Buffer Layers

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