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J-GLOBAL ID：200903082145097667

広域エネルギーレンジ放射線検出器及び製造法

Inventor：
畑中 義式

About 畑中 義式

, 
青木 徹

About 青木 徹


Applicant, Patent owner：
国立大学法人静岡大学

About 国立大学法人静岡大学


Agent (1)： 梅村 勁樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003433694
Publication number (International publication number)：2005191440
Application date： Dec. 26, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】従来、軟X線及び硬X線の双方に対して良好な感度を得ることは困難であった。 【解決手段】検出素子をSiとCdTeとのタンデム構造とする。また、Si基板3とCdTe基板4との間にIn(インジウム)を間挿して、一体化を図ることにより強度を高めるとともに、Si基板3により軟X線を検出し、CdTe基板4により硬X線を検出する。また、CdTe基板4側に分離帯14を設けることにより、電気的に各検出素子が分離でき、2次元画像センサとなり得る。 【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
II-VI族半導体とIV族半導体との積層構造を有し、広レンジの放射線エネルギー検出を可能にする広域エネルギーレンジ放射線検出器。
IPC (2)：
H01L31/09 ,  G01T1/24
FI (2)：
H01L31/00 A ,  G01T1/24
F-Term (16)：
2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK18 ,  5F088AA03 ,  5F088AB02 ,  5F088AB07 ,  5F088AB09 ,  5F088BA02 ,  5F088BB03 ,  5F088DA01 ,  5F088DA11 ,  5F088LA07 ,  5F088LA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体に基づくX線検出装置
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-509915   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク, ソシエテソフラデイール
Cited by examiner (9)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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