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J-GLOBAL ID：200903082150777617

半導体装置のキャパシタ製造方法

Inventor： 朴 仁 成 ,  李 秉 澤
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997039241
Publication number (International publication number)：1997246477
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置のキャパシタ製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上11に下部電極15を形成する段階と、前記下部電極15を窒素及び酸素を含有するガスを用いてプラズマ処理する段階と、前記プラズマ処理された下部電極上に誘電体膜17を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極19を形成する段階とを含む。これにより、比較的薄厚の等価酸化膜でも優れる電気的な特性を有するキャパシタ20を製造することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極を窒素及び酸素を含有するガスを用いてプラズマ処理する段階と、前記プラズマ処理された下部電極上に誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタ製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・セル用誘電体皮膜およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143929   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-166091   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平1-207930