露光装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田辺恵基
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994215310
Publication number (International publication number)：1996055782
Application date： Aug. 16, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】露光装置において、複数投影光学系に対してマスク及び感光基板を同期させて走査して、マスクのパターン領域の全面を正しく感光基板上に転写できる。【構成】複数の照明光学系3、複数の投影光学系5〜9、走査手段を有し、マスク2と感光基板4とを投影光学系に対して走査することによりマスクのパターン領域の全面を感光基板上に転写する露光装置1に、マスク面上及び感光基板面上の互いに対応する位置で、かつ重複する位置に対応する位置に所定方向に1列に配された複数組のマスク面側基準マーク10及び感光基板面側基準マーク11を設け、このマスク面側基準マーク10と感光基板面側基準マーク11を用いて重複する位置におけるマークどうしのずれ量を計測するずれ量計測手段12〜16と、計測されたずれ量に応じて、複数の投影光学系の結像特性を補正するレンズ調整手段17〜21とを設ける。

Claim (excerpt)：

光源の光束をマスクのパターン領域内の複数の部分領域に照射する複数の照明光学系と、所定方向に沿い、かつ該所定方向の直交方向に互いに変位して配置され、前記マスクを透過した前記光束により前記複数の部分領域それぞれの像を、隣合う前記像の前記所定方向の位置を互いに重複させて感光基板上に投影する複数の投影光学系と、該投影光学系に対して、前記所定方向の略直交方向に、前記マスク及び前記感光基板を同期させて走査する走査手段とを有し、前記マスクと感光基板とを前記投影光学系に対して走査することにより前記マスクの前記パターン領域の全面を前記感光基板上に転写する露光装置において、前記マスク面上及び前記感光基板面上の互いに対応する位置で、かつ前記重複する位置に対応する位置に前記所定方向に1列に配された複数のマスク面側基準マーク及び感光基板面側基準マークと、該マスク面側基準マーク又は該感光基板面側基準マークを、前記投影光学系を介して、それぞれ対応する前記感光基板面側基準マーク又は前記マスク面側基準マーク上に結像した際の位置と、前記感光基板面側基準マーク又は前記マスク面側基準マークの位置とのずれ量を計測するずれ量計測手段と、該ずれ量計測手段で計測されたずれ量に応じて、前記複数の投影光学系の結像特性を補正するレンズ調整手段とを具えることを特徴とする露光装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 518 , H01L 21/30 521

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体製造用露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-134580 Applicant：山形日本電気株式会社
特開平2-027712
特開昭60-109228

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