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J-GLOBAL ID：200903082297543344

化学増幅形レジスト用のベース樹脂およびその製造方法

Inventor： 崔 相 俊 ,  朴 春 根
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996184850
Publication number (International publication number)：1997197674
Application date： Jul. 15, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 化学増幅形レジスト用のベース樹脂およびその製造方法を提供する。【解決手段】 感光度が大きく、露光前後の溶解度の差が大きい本発明の樹脂を主成分とする化学増幅形レジストは高解像度のパターンを形成しうる。従って、本発明の樹脂は高集積の半導体チップを製造するためのリソグラフィ工程に利用するに適する。

Claim (excerpt)：

下記式I【化1】(ここで、R1 はt-ブチル基またはテトラヒドロピラニル基であり、R2 は水素原子またはメチル基であり、m/m+n=0.1〜0.9である。)で示される重量平均分子量が5000ないし200000であることを特徴とする化学増幅形レジスト用ベース樹脂。

IPC (3)：

G03F 7/039 501 ,  C08F 4/04 MEG ,  C08F 12/08 MJU

FI (3)：

G03F 7/039 501 ,  C08F 4/04 MEG ,  C08F 12/08 MJU

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-246541   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 感光性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-089917   Applicant：三菱電機株式会社
• 放射線感応性高分子化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-063113   Applicant：東レ株式会社