アモルファスシリコン薄膜の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木正次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234705
Publication number (International publication number)：1995094421
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】比較的大形の絶縁材製基板にアモルファスシリコン薄膜を均一な膜厚で形成する方法を提供することを目的としている。【構成】絶縁材製基板上にプラズマCVD法によりアモルファスシリコン薄膜を形成する方法において、プラズマ生成の為の高周波放電を間欠的に行い、かつ夫々の放電期間の放電時間を、高周波印加電極側に生ずる直流バイアス電圧が飽和する時間より短い時間に制限する。

Claim (excerpt)：

絶縁材製基板上にプラズマCVD法によりアモルファスシリコン薄膜を形成する方法において、プラズマ生成の為の高周波放電を間欠的に行い、かつ夫々の放電期間の放電時間を、高周波印加電極側に生ずる直流バイアス電圧が飽和する時間より短い時間に制限することを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

アモルファスシリコンの成膜方法、及び、薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-181470 Applicant：日本電気株式会社
薄膜トランジスタ用の膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-019195 Applicant：日新電機株式会社
薄膜トランジスタ用の膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-019196 Applicant：日新電機株式会社

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