半導体基板に導体路を形成する方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994337039
Publication number (International publication number)：1995211776
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】信頼性の高い電気的な相互接続路を形成する製造可能な方法を提供する。【構成】まず、半導体基板上の絶縁層の中に、絶縁層の中の凹領域として、電気的な相互接続路のパターンを形成する。その後、主に銅からなる導電層を絶縁層の表面全体および凹領域の中に付着させる。次に、この導電層をリフローさせて、凹領域の中に空隙がほとんど残らないように絶縁層の凹領域を満たす。

Claim (excerpt)：

半導体基板に電気の導体路を形成する方法において、(a) 前記半導体基板の上の第一の層に凹領域を形成する工程と、(b) 前記第一の層の上に実質的に銅からなる第二の層を、その第二の層の少なくとも一部が前記凹領域の中に形成されるように形成する工程(c) 前記第二の層をリフローさせる工程とを含むことを特徴とする方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-232683 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-119462 Applicant：日本電気株式会社
導電性接触プラグおよび集積回路における導電性接触プラグをレーザによる平滑化を利用して製造する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-175081 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

Show all

Return to Previous Page