不揮発性メモリおよびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998158315
Publication number (International publication number)：1999154714
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】他の半導体装置と一体形成が可能な不揮発性メモリを提供する。【解決手段】不揮発性メモリを構成するメモリ素子、スイッチング素子,および他の周辺回路をTFTでもって基板上に一体形成する。メモリ素子TFTの半導体活性層の厚さが、他のTFTの半導体活性層の厚さよりも薄いので、メモリ素子TFTのチャネル領域でインパクトイオン化が起こりやすくなる。こうすることによって、メモリ素子の低電圧書込み/消去を実現することができ、劣化が起こりにくく、小型化が可能な不揮発性メモリが提供される。

Claim (excerpt)：

メモリTFTとスイッチングTFTとから成るメモリセルがマトリクス状に配置された不揮発性メモリであって、前記メモリTFTは、絶縁基板上に形成される半導体活性層と、ゲイト絶縁膜と、フローティングゲイト電極と、前記フローティングゲイト電極を陽極酸化して得られる陽極酸化膜と、コントロールゲイト電極と、を少なくとも備えており、前記スイッチングTFTは、前記絶縁基板上に形成される半導体活性層と、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極と、を少なくとも備えており、前記メモリTFTと前記スイッチングTFTとは、前記絶縁基板上に一体形成され、かつ前記メモリTFTの半導体活性層の厚さは、前記スイッチングTFTの半導体活性層の厚さよりも薄いことを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (5)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 613 B , H01L 29/78 618 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-316129 Applicant：シチズン時計株式会社
液晶画像表示装置及び半導体光学部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-219558 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235919 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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