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J-GLOBAL ID：200903082525660232

プラズマエッチング方法

Inventor： 中村 誠一 ,  久田 正浩 ,  細木 昭仁 ,  松尾 洋 ,  宮武 浩
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995244351
Publication number (International publication number)：1997092640
Application date： Sep. 22, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【構成】 エッチングガスとしてフッ化炭素ガスと酸素含有ガスとの混合ガスを用い、フッ化炭素ガスに対する酸素含有ガスの流量比を小さくしておいてまずSi窒化膜16の段差上部16a、段差部16b直上までSi酸化膜17をエッチングした後、酸素含有ガスの流量比を大きくしてSi窒化膜16の段差部16b間にあるSi酸化膜17をエッチングするプラズマエッチング方法。【効果】 段差上部16a〜段差下部16cを有するSi窒化膜16上のSi酸化膜17のみにエッチング処理を確実に施すことができ、ゲート電極13にダメージを与えることなく、ゲート電極13間に微細なコンタクトホール55を正確、かつ容易に形成することができる。

Claim (excerpt)：

ガスプラズマを利用して段差のあるSi窒化膜上のSi酸化膜をホールエッチングするプラズマエッチング方法において、エッチングガスとしてフッ化炭素ガスと酸素含有ガスとの混合ガスを用い、前記フッ化炭素ガスに対する前記酸素含有ガスの流量比を小さくしてまず前記Si窒化膜の段差直上までSi酸化膜をエッチングした後、前記酸素含有ガスの流量比を大きくして前記Si窒化膜の段差間にあるSi酸化膜をエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/768 ,  H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 C ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-278921   Applicant：株式会社東芝
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-307327   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-354331
  
• 特開平4-239723