半導体メモリ素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062545
Publication number (International publication number)：1997260600
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】拡散バリア層の酸化により、拡散バリア層と下部電極とにおける剥離が生じる。【解決手段】ポリシリコンプラグ7上にチタン膜8及びチタン窒化膜9を順次形成する。次に、窒化チタン膜9を酸化し、窒化チタンを酸化した膜10を形成する。その後、下部電極11、PZT膜12を形成する。

Claim (excerpt)：

高誘電体膜または強誘電体膜を有するキャパシタと、該キャパシタの下部電極と導電性プラグにより接続されたトランジスタとを備えた半導体メモリ素子の製造方法において、上記プラグ上に金属窒化酸化物からなる導電性の拡散バリア層を形成した後、上記下部電極を形成することを特徴とする、半導体メモリ素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/28 A , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-153084
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-334307 Applicant：日本電気株式会社
高誘電率材料へのコンタクト構造および形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-060931 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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