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J-GLOBAL ID：200903082689656503
ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996160339
Publication number (International publication number)：1998012565
Application date： Jun. 20, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高温電子素子、大電力電子素子及び高集積回路に適用されるBが導入された半導体ダイヤモンド層であっても、その電子デバイス間を完全に素子分離することができ、これにより、同一基板上に複数の素子領域を形成する場合に、素子同士の干渉による誤動作の発生を防止することができるダイヤモンド半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド半導体装置は、Bが導入されたp型半導体ダイヤモンド層からなる電子素子領域間に、1×1014乃至1×1021cm-3の原子濃度で窒素を含有する絶縁領域を有するものである。この窒素はイオン注入によりダイヤモンド層に導入することができ、その場合、イオン注入の後に、真空中において800°C以上の温度で1分間以上の熱処理を施し、更に、イオン注入により生成されたダイヤモンド層表面の非ダイヤモンド層を除去することが好ましい。
Claim (excerpt)：
Bが導入されたp型半導体ダイヤモンド層からなる電子素子領域間に、1×1014乃至1×1021cm-3の原子濃度で窒素を含有する絶縁領域を有することを特徴とするダイヤモンド半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/265
, C30B 31/22
, H01L 21/762
, H01L 29/16
H01L 21/265 J
, C30B 31/22
, H01L 21/265 A
, H01L 21/76 D
, H01L 29/16
